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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0205009 (1988-05-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 35 인용 특허 : 12 |
A process for defining vias through a polyimide and silicon nitride layer is disclosed. After the deposition of a first layer of silicon nitride and a second layer of polyimide, a layer of photoresist capable of producing negatively sloped walls is then lithographically defined with a pattern of via
In an integrated circuit chip having a plurality of semiconductor devices, a process for defining self-aligned vias through a silicon nitride layer and a polyimide layer comprising the following steps in the following order: depositing a layer of silicon nitride over said semiconductor devices, said
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