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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0185183 (1988-04-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 17 |
Crystalline silicon carbide wherein at least 90 weight percent of the silicon carbide is formed from a plurality of hexagonal crystal lattices wherein at least 80 weight percent of the crystals formed from the lattices contain at least a portion of opposing parallel base faces separated by a distanc
A method of producing hexagonally shaped platelets of alpha silicon carbide comprising: A. Mixing together powdered silica, finely divided carbon of from 0.005 and 2 microns average particle size and finely divided boron or a boron-containing compound of from 0.4 to 5 microns average particle size,
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