최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0281926 (1988-12-02) |
우선권정보 | JP-0228885 (1984-11-01); JP-0063359 (1985-03-29); JP-0104035 (1985-05-17) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 5 |
A lower alkyl polysilsesquioxane having a general formula [Figure] wherein R is CH3 is C2H5, and n is an integer equal to about 50 to about 10,000, prepared by (a) dissolving a lower alkyl trifunctional silane in an organic solvent at a temperature of -31 20°C. to -50°C. to form an organic solution
An electronic device having a multilayer wiring structure comprising: a substrate; a first metal wiring layer formed on portions of said substrate; an interlayer insulation layer formed on said substrate and said first metal wiring layer and comprising a cured coating of a ladder-type silylated sils
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.