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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0407736 (1989-09-15) |
우선권정보 | EP-0116232 (1988-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 1 |
In a monolithically integratable microwave attenuation element, the attenuation is switchable between various, discrete values and the signal experiences only a small phase shift when switched between the individual attenuation values. The drain-source paths of field effect transistors (Q1, Q2, Q3)
A monolithically integratable microwave attenuation element that has at least three field effect transistors (Q1, Q2, Q3) arranged in a PI structure, the PI structure having at least two terminal ports for a signal path and having control terminals, comprising drain-source paths of the field effect
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