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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0544800 (1990-06-27) |
우선권정보 | JP-0098888 (1986-04-28); JP-0037576 (1987-02-19); JP-0087624 (1987-04-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 3 |
A method of forming a diamond film on a substrate comprises the steps of depositing carbon on said substrate in vacuum by vapor deposition, and irradiating accelerated ions onto said substrate, said ions being obtained by ionizing a gas composed of at least one of a hydrogen gas, inert gases, hydroc
A method of forming a diamond film on a substrate, comprising the steps of: depositing carbon from an evaporation source onto said substrate in vacuum by vapor deposition to provide a carbon film on the substrate; and irradiating accelerated ions having an energy of less than 40 KeV onto said substr
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