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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0296111 (1989-01-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 9 |
A neural network utilizing the threshold characteristics of a semiconductor device as the various memory elements of the network. Each memory element comprises a complementary pair of MOSFETs in which the threshold voltage is adjusted as a function of the input voltage to the element. The network is
A neural network comprising; a matrix of a plurality of output electrodes intersecting with a plurality of input electrodes at intersecting regions, and a plurality of electronic elements coupling said output electrodes to said input electrodes at said intersecting regions; means interconnecting sai
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