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[미국특허] Electrode for use in the treatment of an object in a plasma 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23F-004/04
출원번호 US-0262531 (1988-10-25)
우선권정보 JP-0164365 U (1987-10-26)
발명자 / 주소
  • Hijikata Isamu (Kanagawa JPX) Uehara Akira (Kanagawa JPX) Samezawa Mitsuo (Kanagawa JPX)
출원인 / 주소
  • Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (Kanagawa JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 42  인용 특허 : 4

초록

An electrode for use in the treatment of an object such as a semiconductor wafer through plasma reaction has at least a surface layer formed of silicon carbide. The electrode comprises a base, and the surface layer of silicon carbide is formed on a surface of the base by a CVD coating process.

대표청구항 ▼

In a plasma reaction apparatus having a pair of vertically spaced apart electrodes, an upper electrode of said pair being adapted for use in the treatment of an object through plasma reaction and which is highly resistant to being modified and etched away by the plasma reaction, said upper electrode

이 특허에 인용된 특허 (4) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Uehara Akira (Yokohama JPX) Kiyota Hiroyuki (Hiratsuka JPX) Miyazaki Shigekazu (Sagamihara JPX) Nakane Hisashi (Kawasaki JPX), Apparatus for automatic semi-batch sheet treatment of semiconductor wafers by plasma reaction.
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  2. Hijikata Isamu (Tokyo JPX) Uehara Akira (Yokohama JPX) Nakane Hisashi (Kawasaki JPX), Apparatus for the treatment of semiconductor wafers by plasma reaction.
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  3. Stark Mark M. (Kamakura CA JPX) Warenback Douglas H. (San Rafael CA) Drage David J. (Sebastopol CA), Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus.
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  4. Kumagai Henry Y. (Allentown PA), R-F Electrode type workholder and methods of supporting workpieces during R-F powered reactive treatment.
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이 특허를 인용한 특허 (42) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Taylor, Charles E.; Parker, Andrew J.; Botvinnik, Igor Y.; Lau, Shek Fai; Snyder, Gregory S.; Reeves, John Paul, Air conditioner device including pin-ring electrode configurations with driver electrode.
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  2. Taylor,Charles E.; Parker,Andrew J.; Botvinnik,Igor Y.; Lau,Shek Fai; Snyder,Gregory S.; Reeves,John Paul, Air conditioner device with a removable driver electrode.
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  3. Taylor,Charles E.; Parker,Andrew J.; Botvinnik,Igor Y.; Lau,Shek Fai; Snyder,Gregory S.; Reeves,John Paul, Air conditioner device with enhanced ion output production features.
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  4. Taylor, Charles E.; Parker, Andrew J.; Botvinnik, Igor Y.; Lau, Shek Fai; Snyder, Gregory S.; Reeves, John Paul, Air conditioner device with removable driver electrodes.
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  5. Taylor, Charles E.; Lau, Shek Fai, Air conditioner devices.
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  6. Taylor, Charles E., Air transporter-conditioner device with tubular electrode configurations.
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  7. Botvinnik, Igor Y.; Taylor, Charles E., Air treatment apparatus having a voltage control device responsive to current sensing.
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  8. Taylor,Charles E.; Parker,Andrew J., Air treatment apparatus having an electrode extending along an axis which is substantially perpendicular to an air flow path.
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  9. Taylor, Charles E.; Lee, Jim L., Air treatment apparatus having multiple downstream electrodes.
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  10. Taylor,Charles E.; Parker,Andrew J.; Botvinnik,Igor Y.; Lau,Shek Fai; Snyder,Gregory S.; Reeves,John Paul, Air treatment apparatus with attachable grill.
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  11. Taylor,Charles E.; Parker,Andrew J.; Lau,Shek Fai, Air treatment device having a sensor.
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  12. Yamazaki Shunpei,JPX ; Itoh Kenji,JPX, Apparatus for forming films on a substrate.
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  13. O'Donnell, Robert J.; Daugherty, John E.; Chang, Christopher C., Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof.
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  14. O'Donnell, Robert J.; Daugherty, John E.; Chang, Christopher C., Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof.
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  15. O'Donnell, Robert J.; Daugherty, John E.; Chang, Christopher C., Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof.
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  16. O'Donnell, Robert J.; Daugherty, John E.; Chang, Christopher C., Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof.
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  17. Taylor, Charles E.; Lee, Jim L., Electro-kinetic air mover with upstream focus electrode surfaces.
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  18. Botvinnik, Igor Y.; Parker, Andrew J.; Taylor, Charles E., Electro-kinetic air transporter and conditioner devices including pin-ring electrode configurations with driver electrode.
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  19. Botvinnik, Igor Y.; Parker, Andrew J.; Taylor, Charles E., Electro-kinetic air transporter and conditioner devices with 3/2 configuration having driver electrodes.
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  20. Parker, Andrew J.; Taylor, Charles E.; Lau, Shek Fai, Electro-kinetic air transporter with mechanism for emitter electrode travel past cleaning member.
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  21. Taylor, Charles E.; Lau, Shek Fai, Electro-kinetic air transporter-conditioner.
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  22. Snyder, Gregory S.; Parker, Andrew J.; Taylor, Charles E., Electro-kinetic air transporter-conditioner system and method to oxidize volatile organic compounds.
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  23. Lee, Jim L., Electrode cleaning in an electro-kinetic air mover.
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  24. Lau,Shek Fai; Parker,Andrew; Snyder,Gregory S.; Reeves,John Paul, Electrode self-cleaning mechanisms with anti-arc guard for electro-kinetic air transporter-conditioner devices.
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  25. Botvinnik,Igor Y., Electrostatic precipitators with insulated driver electrodes.
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  26. Botvinnik, Igor Y., Emitter electrode having a strip shape.
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  27. O'Donnell, Robert J.; Chang, Christopher C.; Daugherty, John E., Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof.
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  28. Jerome Hubacek, Gas distribution apparatus for semiconductor processing.
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  29. Zehavi, Raanan, Hybrid nozzle for plasma spraying silicon.
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  30. Strang, Eric J.; Bibby, Jr., Thomas F. A.; Johnson, Wayne L., Method of adjusting the thickness of an electrode in a plasma processing system.
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  31. Tomita Kazushi (Kawaguchi JPX) Ito Yoshikazu (Yamanashi-ken JPX) Hirano Motohiro (Hachioji JPX) Nozawa Akira (Nirasaki JPX) Matsuo Hiromitsu (Shirane-machi JPX) Iimuro Shunichi (Yamanashi-ken JPX) To, Plasma etching system and plasma etching method.
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  32. Nishikawa Kazuyasu,JPX ; Oomori Tatsuo,JPX ; Ootera Hiroki,JPX, Plasma processing apparatus.
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  33. Shu Nakajima JP, Plasma treatment apparatus and method of semiconductor processing.
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  34. Itoh Kenji,JPX ; Hayashi Shigenori,JPX, Process for fabricating a magnetic recording medium.
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  35. Itoh,Kenji; Hayashi,Shigenori, Process for treating a substrate with a plasma.
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  36. Bosch, William Frederick, Semiconductor processing equipment having improved particle performance.
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  37. Bosch, William Frederick, Semiconductor processing equipment having improved particle performance.
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  38. Bosch, William Frederick; Dynan, Stephen Anthony; Shull, Marc David, Semiconductor processing equipment having improved particle performance.
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  39. Wicker, Thomas E., Semiconductor processing equipment having improved process drift control.
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  40. Wicker, Thomas E., Semiconductor processing equipment having improved process drift control.
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  41. Kennedy William S. ; Maraschin Robert A. ; Wicker Thomas E., Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner.
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  42. William S. Kennedy ; Robert A. Maraschin ; Jerome S. Hubacek, Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner.
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