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Process for producing a single-crystal substrate of silicon carbide 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-025/00
출원번호 US-0683651 (1984-12-19)
우선권정보 JP-0246512 (1983-12-29)
발명자 / 주소
  • Suzuki Akira (Nara JPX) Furukawa Katsuki (Osaka JPX)
출원인 / 주소
  • Sharp Kabushiki Kaisha (Osaka JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 16  인용 특허 : 5

초록

A process for producing a single-crystal substrate of silicon carbide comprises growing a single-crystal film of aba

대표청구항

A process for producing a single-crystal substrate of silicon carbide comprising growing a single-crystal film of ab

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Suzuki Akira (Nara JPX) Furukawa Katsuki (Tenri JPX) Higashigaki Yoshiyuki (Tenri JPX) Harada Shigeo (Isehara JPX), Method of fabricating single-crystal substrates of silicon carbide.
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  2. Powell J. Anthony (N. Olmsted OH) Will Herbert A. (N. Olmsted OH), Process for fabricating SiC semiconductor devices.
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  3. Seiter Hartmut (Munich DT), Process for preparing layers of silicon carbide on a silicon substrate.
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  4. Addamiano Arrigo (Alexandria VA) Klein Philipp H. (Washington DC), Recovery of fragile layers produced on substrates by chemical vapor deposition.
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  5. Prochazka Svante (Ballston Lake NY), Silicon carbide sintered body.
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이 특허를 인용한 특허 (16)

  1. Kaneko, Hirofumi; Endo, Atsushi, Inner tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers.
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  2. Kaneko, Hirofumi; Endo, Atsushi, Inner tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers.
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  3. Kitou Yasuo,JPX ; Sugiyama Naohiro,JPX ; Okamoto Atsuto,JPX ; Tani Toshihiko,JPX ; Kamiya Nobuo,JPX, Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method.
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  4. Kito Yasuo,JPX ; Kotanshi Youichi,JPX ; Onda Shoichi,JPX ; Hanazawa Tatuyuki,JPX ; Kitaoka Eiji,JPX, Method of producing single-crystal silicon carbide.
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  5. Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  6. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  7. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  8. Tanino Kichiya,JPX, Objects constructed of silicon carbide.
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  9. Kaneko, Hirofumi; Endo, Atsushi, Outer tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers.
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  10. Kaneko, Hirofumi, Process tube for manufacturing semiconductor wafers.
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  11. Ishii,Katsutoshi; Matsuura,Hiroyuki, Process tube for semiconductor device manufacturing apparatus.
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  12. Ishii,Katsutoshi; Matsuura,Hiroyuki, Process tube for semiconductor device manufacturing apparatus.
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  13. Ishii,Katsutoshi; Matsuura,Hiroyuki, Process tube for semiconductor device manufacturing apparatus.
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  14. Inaba Takeshi,JPX ; Takeda Syuichi,JPX ; Sato Masanori,JPX, SiC member and a method of fabricating the same.
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  15. Kitabatake Makoto,JPX ; Uchida Masao,JPX ; Takahashi Kunimasa,JPX, Silicon carbide substrate, and method for producing the substrate, and semiconductor device utilizing the substrate.
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  16. Kong, Hua-Shuang; Carter, Jr., Calvin; Sumakeris, Joseph, Susceptor designs for silicon carbide thin films.
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