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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0357717 (1989-05-26) |
우선권정보 | JP-0135147 (1988-05-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 11 |
A method for growing silicon single crystal uses as materials, silicon granules prepared by the silane process and having a residual hydrogen concentration of 7.5 wtppm or less, silicon granules prepared by the trichlorosilane process and having a residual chlorine concentration of 15 wtppm or less.
A method for producing silicon single crystal using silicon granules, comprising: preparing powdered silicon; growing silicon granules by decomposing silane gas on the surface of said powdered silicon; heating said silicon granules in an atmosphere of an inert gas so as to have a residual hydrogen c
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