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특허 상세정보

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Process for producing silicon carbide whiskers using seeding agent

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G01B-031/36   
미국특허분류(USC) 423/345 ; 423/344 ; 501/88
출원번호 US-0275329 (1988-11-22)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 13
초록
▼

A processing for producing silicon carbide whiskers in which a source of silica is mixed with a residual oil or crude petroleum and the resultant mixture is heated in a substantially nonoxidizing atmosphere at temperature sufficiently high to carbonize the residual oil or crude petroleum, thereby forming an intimate mixture of carbon and silica. The intimate mixture is then heated in a nonoxidizing atmosphere in the presence of a seeding component comprising an element selected from the group consisting of boron, the rare earths, Group IA, Group IB, Grou...

대표
청구항
▼

A process for producing silicon carbide whiskers which comprises: (a) suspending particles of silica in a petroleum residual oil; (b) heating said suspension of silica particles in said residual oil in a substantially nonoxidizing atmosphere at temperatures below about 1200°C. but sufficiently high to carbonize the residual oil and thereby form an intimate mixture of carbon and silica; (c) heating said intimate mixture of carbon and silica in a nonoxidizing atmosphere in the presence of a seeding component comprising an element selected from the group co...

이 특허에 인용된 특허 (13)

  1. Beatty Ronald L. (Greer SC) Wyman Floyd H. (Mauldin SC). Continuous silicon carbide whisker production. USP1987014637924.
  2. Endou Morinobu (Nagano JPX) Takamizawa Minoru (Tokyo JPX) Hongu Tatsuhiko (Kanagawa JPX) Kobayashi Taishi (Niigata JPX). Method for the preparation of silicon carbide fibers. USP1985014492681.
  3. Weaver Samuel C. (Knoxville TN) Nixdorf Richard D. (Knoxville TN). Method for the preparation of silicon carbide whiskers. USP1989104873069.
  4. Tanaka Minoru (Kobe JPX) Kawabe Tadashi (Ako JPX) Kobune Masafumi (Ako JPX). Method of manufacturing crystalline silicon carbide. USP1985034504453.
  5. Shalek Peter D. (Los Alamos NM). Process for growing silicon carbide whiskers by undercooling. USP1987104702901.
  6. Ritter Joseph J. (Mt. Airy MD). Process for preparing refractory borides and carbides. USP1986084606902.
  7. Kida Tohru (Chigasaki JPX) Yamamoto Motohiro (Fujisawa JPX). Process for preparing silicon carbide whiskers. USP1987094690811.
  8. Yamamoto Akira (Nagoya JPX). Process for preparing silicon carbide whiskers. USP1985024500504.
  9. Yamada Motoyuki (Joetsu JPX) Hayashida Akira (Joetsu JPX) Numanami Kazutoshi (Joetsu JPX) Iizuka Takahiro (Joetsu JPX). Process for producing silicon carbide whiskers. USP1989074849196.
  10. Ramsey ; Jr. David E. (Johnson City TN) Grindstaff Lloyd I. (Elizabethton TN). Production of SiC from rice hulls and silica. USP1981024248844.
  11. Horne ; Jr. Ottis J. (Johnson City TN) Ramsey ; Jr. David E. (Johnson City TN). Production of SiC whiskers. USP1981084283375.
  12. Coyle Roy T. (both Yorba Linda CA) Ho Phillman N. (both Yorba Linda CA). Production of silicon carbide. USP1989064839150.
  13. Stroke Frederick G. (McMurray PA). Submicron beta silicon carbide powder and sintered articles of high density prepared therefrom. USP1981104295890.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 5

  1. Krass, Florian. Cascaded power plant process and method for providing reversibly usable hydrogen carriers in such a power plant process. USP2011108043592.
  2. Phani, Kalyan Kumar; De, Asok Kumar; Bose, Nripati Ranjan; Ghatak, Sankar. Composition useful for making in-situ silicon carbide whiskers and fibres. USP2003046548586.
  3. Shaw, Leon L.; Ren, Ruiming; Yang, Zhenguo. Nanostructured carbide cermet powders by high energy ball milling. USP2004096793875.
  4. Phani, Kalyan Kumar; De, Asok Kumar; Bose, Nripati Ranjan; Ghatak, Sankar. Process useful for making in-situ silicon carbide in the form of particulate, whiskers and fibres in an inorganic composite matrix. USP2004026696514.
  5. Shaw Leon L. ; Ren Ruiming ; Yang Zhenguo. Sinterable carbides from oxides using high energy milling. USP2001046214309.

IPC 상위 출원인