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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0273616 (1988-11-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 113 인용 특허 : 0 |
A method of making group I-III-VI compound semiconductors such as copper indium diselenide for use in thin film heterojunction photovoltaic devices. A composite film of copper, indium, and possibly other group IIIA elements, is deposited upon a substrate. A separate film of selenium is deposited on
A semiconducting thin film formed on a substrate by the method comprising: depositing a composite film of copper and indium on a substrate, said film having an atomic copper to indium ratio of about one, depositing a film of selenium on said composite copper indium film, said selenium film thickness
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