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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0295956 (1989-01-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
A semiconductor diode monolithically integrated onto a power MOS transistor or power IGBT for temperature sensing. With the application of a positive bias and a constant current, the diode provides a voltage that varies linearly as a function of temperature for the power transistor. The diode is con
A semiconductor power device comprising a power transistor and a temperature sensing diode device for sensing the temperature of the power transistor, the power transistor having a substrate, a first conductivity type epitaxial layer with a first depth, and a first conductivity type source region, t
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