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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0480131 (1990-02-14) |
우선권정보 | JP-0033594 (1989-02-15); JP-0156787 (1989-06-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 0 |
This invention relates to a method and an apparatus for forming a film, which are suitable for forming a film of a semiconductor, dielectric, metal, insulator, or organic substance. In order to form a film of high purity and quality at high speed, a particle beam such as an ion beam, an electron bea
A method of forming a film, comprising the steps of: applying a particle beam to a material substance bonded by either van der Waals forces or hydrogen bonding forces, so as to sputter particles from said material substance, thereby producing particles from the material substance by sputtering; appl
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