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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0435392 (1989-11-06) |
우선권정보 | GB-0011373 (1987-05-14) |
국제출원번호 | PCT/GB88/00319 (1988-04-25) |
§371/§102 date | 19891106 (19891106) |
국제공개번호 | WO-8809060 (1988-11-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 0 |
An electroluminescent silicon device comprises a light emitting diode (10). The diode (10) includes a p+semiconductor contact (42) and a n-layer (32), forming a p-n junction (43) therebetween. The n-layer (32) is carbon-doped and irradiated with an electron beam having electrons with energies of bet
An electroluminescent device comprising: a luminescent region of crystalline silicon; and rectifying means for injecting minority carriers into the luminescent region, wherein said luminescent region comprises: (i) at least 1016 carbon atoms cm-3 in solid solution arranged to trap silicon interstiti
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