[특허]Process for treating semiconductors

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Process for treating semiconductors 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B08B-003/08
출원번호	US-0552112 (1990-07-13)
우선권정보	JP-0186493 (1989-07-19)
발명자 / 주소	Ogura Mototsugu (Nara JPX) Kagawa Keiichi (Hirakata JPX) Hirofuji Yuichi (Neyagawa JPX)
출원인 / 주소	Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (Osaka JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0

초록 ▼

Semiconductors are treated with such surface-treating solutions as ultra-pure water, dilute hydrofluoric acid and an organic solvent and then subjected to removal of the surface-treating solutions remaining on the surface of the semiconductor in an inert gas atmosphere of high purity while contacting the surface of the surface-treated semiconductor only with the inert gas of high purity, whereby contamination with impurities on atom level from the atmosphere can be prevented.

대표청구항 ▼

A process for treating a semiconductor, comprising: continuously maintaining a semiconductor substrate in an atmosphere of high purity inert gas while performing: (a) a first step of treating a surface of said semiconductor substrate in an atmosphere of an inert gas of high purity including filling a first container with a surface-treating solution, covering a surface of said surface-treating solution in said first container with a high purity inert gas, and dipping said substrate into said solution in said first container to remove surface parts of said substrate; (b) a second step of removing remaining surface-treating solution from said substrate in an atmosphere of inert gas of high purity including filling a second container with ultra-pure water, covering a surface of said ultra-pure water in said second container with a high purity inert gas, and subsequent to said dipping in step (a), dipping said substrate into said ultra-pure water in said second container; and (c) a third step of drying said substrate to remove ultra-pure water remaining thereon, said substrate being continuously kept in an atmosphere of inert gas of high purity in the first, second and third steps.

이 특허를 인용한 특허 (15)

Varhue, Walter J.; Reidy, Sean G., Abrupt pn junction diode formed using chemical vapor deposition processing.
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Kikuchi Jun,JPX ; Fujimura Shuzo,JPX ; Iga Masao,JPX, Apparatus for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor device.
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Kikuchi Jun,JPX ; Fujimura Shuzo,JPX ; Iga Masao,JPX, Apparatus for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor device.
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Nahomi Ohta JP, Cleaning/drying station and production line for semiconductor devices.
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Clark R. Scot ; Baird Stephen S. ; Hoffman Joe G., Manufacture of high precision electronic components with ultra-high purity liquids.
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Clark, R. Scot; Baird, Stephen S.; Hoffman, Joe G., Manufacture of high precision electronic components with ultra-high purity liquids.
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Ohmi Tadahiro,JPX ; Nakagawa Yoshinori,JPX, Method and apparatus for modifying surface material.
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Fabry Laszlo,DEX ; Passer Bernd,DEX ; Steiger Edeltraud,DEX, Method of removing damaged crystal regions from silicon wafers.
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Tsukamoto Toshiyuki (Ushiku JPX) Fanjat Norbert (Tsukuba JPX) Friedt Jean (Tokyo JPX), Process for distributing ultra high purity gases with minimized contamination and particulates.
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Kimura Masao (Tsuchiura JPX) Tsukamoto Toshiyuki (Ushiku JPX) Tarutani Kohei (Tsukuba JPX) Friedt Jean-Marie (Tokyo JPX), Process for distributing ultra high purity gases with minimized corrosion.
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Christenson,Kurt K.; Nelson,Steven L.; Oikari,James R.; Olson,Jeff F.; Wu,Biao, Rinsing processes and equipment.
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Nakamori Masaharu,JPX ; Honma Ichiro,JPX, Semiconductor cleaning method.
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Hillman Gary, Silicon substrate cleaning apparatus.
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Hillman Gary, Silicon substrate cleaning method and apparatus.
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Walter J. Varhue ; Sean G. Reidy, Structure and method for abrupt PN junction diode formed using chemical vapor deposition processing.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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