[특허]Method of depositing directly activated species onto a remotely located substrate

Method of depositing directly activated species onto a remotely located substrate 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B05D-003/06
출원번호	US-0520988 (1990-05-07)
발명자 / 주소	Doehler Joachim (Union Lake MI) Hudgens Stephen J. (Southfield MI) Ovshinsky Stanford R. (Bloomfield Hills MI) Peedin Lester R. (Oak Park MI) Krisko Jeffrey M. (Highland MI)
출원인 / 주소	Energy Conversion Devices, Inc. (Troy MI 02)
인용정보	피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method of depositing high quality thin film at a high rate of deposition through the formation of a high flux of activated precursor species of a precursor deposition gas by employing a substantial pressure differential between the pressure adjacent the aperture in a conduit from which said precursor deposition gas is introduced into the interior of a vacuumized enclosure and the background pressure which exits in said enclosure. As the precursor deposition gas is introduced into said enclosure, a high density plume of said activated precursor species are formed therefrom due to an electromagnetic field established in an activation region adjacent said aperture. The pressure differential is sufficient to cause those activated precursor species to be deposited upon a remotely positioned substrate. In order to obtain a sufficient pressure differential, it is preferred that the flow of the precursor deposition gas reaches transonic velocity. And in order to obtain a high quality thin film, it is preferred that the plume of activated precursor species is spaced from the substrate; without structural or electrical confinement, a distance from the activation region greater than the mean free path of undesired activated precursor species and within the mean free path of desired species.

대표청구항 ▼

A method of depositing a high quality thin film at a relatively high rate of deposition, said method comprising the steps of: providing an enclosure; maintaining the interior of said enclosure at a subatmospheric background pressure; introducing a precursor deposition gas into the interior of said enclosure through at least one aperture formed in a conduit, said precursor deposition gas including silicon; activating said precursor deposition gas in a activation region so as to form a high density plume of activated precursor species; operatively disposing a substrate interiorly of said enclosure, said substrate spaced from said plume; establishing a sufficient flow of said precursor deposition gas adjacent said aperture in said conduit so as to define a substantially clear boundary of said plume of activated precursor species without the structural, electrical, or magnetic confinement thereof; and depositing a high quality thin film of silicon containing material at a relatively high rate from the activated precursor species.

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