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특허 상세정보

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Method of manufacturing a silicon carbide-based material

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C04B-035/56   
미국특허분류(USC) 501/92 ; 501/96 ; 501/98
출원번호 US-0747499 (1991-08-19)
우선권정보 JP-0200374 (1987-08-11); JP-0220053 (1987-09-02); JP-0045637 (1988-02-26); JP-0112963 (1988-05-10)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 19  인용 특허 : 0
초록
▼

A composition of raw materials comprising silicon carbide, a substance containing at least one of Group IVa to VIa elements except any boride thereof, and a substance containing boron except any of the borides of Group IVa to VIa elements, and further containing, if required, carbon, or an organic compound which produces carbon as a result of thermal decomposition, or both, is fired to manufacture a silicon carbide-based material in which a boride of at least one of the elements of Groups IVa to VIa of the periodic table is dispersed. The silicon carbide...

대표
청구항
▼

A method of manufacturing a silicon carbide-based material in which a boride of at least one of Group IVa, Va and VIa elements of the periodic table is dispersed, comprising: mixing in water, a composition of raw materials which consists essentially of silicon carbide, a substance containing at least one of group IVa, Va and VIa elements except any boride thereof, any substance containing boron except any of the borides of group IVa, Va and VIa elements, wherein the amount of said substance containing boron is 3.7-58.5 parts by weight of said raw materia...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 19

  1. Yu,Yongsik; Gupta,Atul; Billington,Karen; Carris,Michael; Crew,William; Mountsier,Thomas W.. Boron-doped SIC copper diffusion barrier films. USP2008097420275.
  2. Lillo, Thomas M.; Chu, Henry S.; Harrison, William M.. Composite materials and bodies including silicon carbide and titanium diboride and methods of forming same. USP2013018357623.
  3. Ashkin, Daniel; Palicka, Richard. Compositions for improved ceramic armor. USP2010097803732.
  4. Varadarajan, Bhadri N.; Gong, Bo; Yuan, Guangbi; Gui, Zhe; Lai, Fengyuan. Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment. USP2017129837270.
  5. Yu, Yongsik; Subramonium, Pramod; Fang, Zhiyuan; Henri, Jon; Apen, Elizabeth; Vitkavage, Dan. Diffusion barrier and etch stop films. USP2014038669181.
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  8. Zhang, Shi C.; Hilmas, Gregory E.; Fahrenholtz, William G.. High-density pressurelessly sintered zirconium diboride/silicon carbide composite bodies and a method for producing the same. USP2012018097548.
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  10. Yu, Yongsik; Billington, Karen; Tang, Xingyuan; Fu, Haiying; Carris, Michael; Crew, William. Low-k SiC copper diffusion barrier films. USP2009087573061.
  11. Yu, Yongsik; Gupta, Atul; Billington, Karen; Carris, Michael; Crew, William; Mountsier, Thomas W.. Low-k b-doped SiC copper diffusion barrier films. USP2010117842604.
  12. Zhang, Shi C.; Hilmas, Gregory E.; Fahrenholtz, William G.. Method for pressurelessly sintering zirconium diboride/silicon carbide composite bodies to high densities. USP2010057723247.
  13. Varadarajan, Bhadri N.. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties. USP2016019234276.
  14. Chattopadhyay, Kaushik; Fox, Keith; Mountsier, Tom; Wu, Hui-Jung; van Schravendijk, Bart; Branshaw, Kimberly. Methods for reducing UV and dielectric diffusion barrier interaction. USP2012058173537.
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  16. Reynolds George H.. Preparation of ceramic matrix composites by infiltration of fibrous preforms with fluids or slurries and subsequent pyrolysis. USP2001086277440.
  17. Wu, Hui-Jung; Shafi, Kimberly; Chattopadhyay, Kaushik; Fox, Keith; Mountsier, Tom; Dixit, Girish; van Schravendijk, Bart; Apen, Elizabeth. Reducing UV and dielectric diffusion barrier interaction through the modulation of optical properties. USP2012028124522.
  18. Varadarajan, Bhadri. Remote plasma based deposition of SiOC class of films. USP20190210211310.
  19. Yu, Yongsik; van Schravendijk, Bart J.; Shankar, Nagraj; Varadarajan, Bhadri N.. Staircase encapsulation in 3D NAND fabrication. USP20180610002787.

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