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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0519321 (1990-05-07) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
Photosensitive polyimides used in microelectronic structures are cross-linked without exposing the associated microelectronic structures to elevated temperatures that can lower the process yield and reduce the reliability of the microelectronic structures. The photosensitive polyimides are cured by
A method for photolithographically patterning a layer comprising a photosensitive polyimide, the method comprising the steps: exposing first portions of the layer to a first dosage of radiation; removing second portions of the layer that were not exposed to the first dosage of radiation; and by cont
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