[특허]Wideband schottky focal plane array

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-031/07 H01L-027/144
출원번호	US-0668526 (1991-03-13)
발명자 / 주소	Herring James R. (San Marcus CA) Gates James L. (Vista CA)
출원인 / 주소	Hughes Aircraft Company (Los Angeles CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0

초록 ▼

A radiation detector includes a silicon substrate (12) having opposing first and second major surfaces, the substrate absorbing visible radiation incident upon the first major surface and passing into the substrate for generating charge carriers therefrom. The detector further includes a silicide layer (16) overlying the second major surface of the substrate, the silicide layer forming a Schottky-barrier junction with the underlying substrate. The silicide layer absorbs IR radiation for generating charge carriers therefrom. The substrate has a resistivity of approximately one thousand ohms per centimeter or greater for enhancing responsivity to visible radiation. A cavity structure (16) overlies the silicide layer and has a reflector (18) optically coupled thereto for reflecting IR radiation that passes through the silicide layer back to the silicide layer. To further enhance responsivity the substrate is thinned and has a thickness within a range of approximately 25 microns to approximately 125 microns.

대표청구항 ▼

A radiation detector comprising: a silicon substrate having opposing first and second major surfaces and a thickness within a range of approximately 25 microns to approximately 125 microns, the substrate absorbing radiation within a first spectral band that is incident upon the first major surface for generating charge carriers therefrom; a layer comprised of silicide disposed upon the second major surface of the substrate, the silicide layer forming a Schottky-barrier junction with the underlying substrate and absorbing radiation within a second spectral band for generating charge carriers therefrom; and wherein the substrate has a resistivity of approximately one thousand ohm centimeters or greater.

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