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특허 상세정보

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Wideband schottky focal plane array

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-031/07    H01L-027/144   
미국특허분류(USC) 250/37014 ; 357/15 ; 357/30
출원번호 US-0668526 (1991-03-13)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 21  인용 특허 : 0
초록
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A radiation detector includes a silicon substrate (12) having opposing first and second major surfaces, the substrate absorbing visible radiation incident upon the first major surface and passing into the substrate for generating charge carriers therefrom. The detector further includes a silicide layer (16) overlying the second major surface of the substrate, the silicide layer forming a Schottky-barrier junction with the underlying substrate. The silicide layer absorbs IR radiation for generating charge carriers therefrom. The substrate has a resistivit...

대표
청구항
▼

A radiation detector comprising: a silicon substrate having opposing first and second major surfaces and a thickness within a range of approximately 25 microns to approximately 125 microns, the substrate absorbing radiation within a first spectral band that is incident upon the first major surface for generating charge carriers therefrom; a layer comprised of silicide disposed upon the second major surface of the substrate, the silicide layer forming a Schottky-barrier junction with the underlying substrate and absorbing radiation within a second spectra...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 21

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