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Thin film transistor and active matrix assembly including same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-027/12
  • H01L-027/02
  • H01L-027/10
  • H01L-029/06
출원번호 US-0203548 (1988-05-31)
우선권정보 JP-0061440 (1982-04-13); JP-0064892 (1982-04-19); JP-0143786 (1982-08-19)
발명자 / 주소
  • Mano Toshihiko (Suwa JPX) Kodaira Toshimoto (Suwa JPX) Ohshima Hiroyuki (Suwa JPX)
출원인 / 주소
  • Seiko Epson Corporation (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 25  인용 특허 : 0

초록

Thin film transistor including polycrystalline silicon or amorphous silicon thin film channel regions having a thickness of less than 2500 Åand active matrix assemblies including thin film transistors provide improved thin-type displays.

대표청구항

A metal-oxide-semiconductor transistor comprising: a glass insulating substrate; a thin film of silicon selected from the group consisting of polycrystalline silicon and amorphous silicon including a channel region of less than 2500 Åthickness disposed on said substrate; a source region and a drain

이 특허를 인용한 특허 (25)

  1. Ono,Kikuo; Ogawa,Kazuhiro; Suzuki,Takashi; Anno,Kouichi; Sakuta,Hiroki; Tsumura,Makoto; Kitajima,Masaaki; Kawachi,Genshiro, Active matrix LCD device with image signal lines having a multilayered structure.
  2. Yamazaki, Shunpei, Display device.
  3. Yamazaki, Shunpei, Display device.
  4. Orlowski Marius (Austin TX) Hayden James D. (Austin TX) Nguyen Bich-Yen (Austin TX), High-performance thin-film transistor and SRAM memory cell.
  5. Yamazaki, Shunpei, Liquid crystal display device and electronic device.
  6. Yamazaki, Shunpei, Liquid crystal display device and electronic device.
  7. Yamazaki, Shunpei, Liquid crystal display device and electronic device.
  8. Yamazaki, Shunpei, Liquid crystal display device with transistor including oxide semiconductor layer and electronic device.
  9. Hwang Jeong-Mo (Plano TX), Local thinning of channel region for ultra-thin film SOI MOSFET with elevated source/drain.
  10. Li, Xinghua; Bao, Junping, Low temperature poly-silicon thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device.
  11. Addy John C. ; Lynn Marc B., Method and apparatus for enhancing security in a self-service checkout terminal.
  12. Venkatesan Suresh (Austin TX) Poon Stephen (Austin TX) Lutze Jeffrey (Austin TX), Method for making CMOS device having reduced parasitic capacitance.
  13. Yamazaki, Shunpei; Takemura, Yasuhiko; Zhang, Hongyong, Method of fabricating a thin film transistor.
  14. Sin Johnny Kin On,HKX ; Kottarath Parambil Anish Kumar,HKX, Polysilicon devices and a method for fabrication thereof.
  15. Venkatesan Suresh ; Poon Stephen ; Lutze Jeffrey ; Ajuria Sergio, Process for fabricating a fully self-aligned soi mosfet.
  16. Miyasaka Mitsutoshi,JPX ; Little Thomas W.,JPX, Process for fabricating a thin film transistor.
  17. Watanabe Minoru,JPX ; Mochizuki Chiori,JPX ; Ishii Takamasa,JPX, Semiconductor apparatus and method for producing it.
  18. Sano, Toshiaki; Ishii, Tomoyuki; Kameshiro, Norifumi; Mine, Toshiyuki, Semiconductor device.
  19. Yamazaki, Shunpei; Takemura, Yasuhiko; Zhang, Hongyong, Semiconductor device and method of forming the same.
  20. Yamazaki,Shunpei; Takemura,Yasuhiko; Zhang,Hongyong, Semiconductor device and method of forming the same.
  21. Kurokawa, Yoshiyuki; Ikeda, Takayuki, Semiconductor device having a backlight and light-receiving element.
  22. Miyasaka Mitsutoshi (Suwa JPX) Little Thomas W. (Suwa JPX), Semiconductor device having first and second gate insulating films.
  23. Thompson, James N.; Laws, Jerry L.; Fyffe, Roger L., Storage and management system for seismic data acquisition units.
  24. Yamazaki, Shunpei; Miyake, Hiroyuki; Tsubuku, Masashi; Noda, Kosei, Transisitor comprising oxide semiconductor.
  25. Chau, Robert S.; Kavalieros, Jack; Murthy, Anand; Roberds, Brian; Doyle, Brian S., Transistor structure and method of fabrication.
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