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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0203548 (1988-05-31) |
우선권정보 | JP-0061440 (1982-04-13); JP-0064892 (1982-04-19); JP-0143786 (1982-08-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 0 |
Thin film transistor including polycrystalline silicon or amorphous silicon thin film channel regions having a thickness of less than 2500 Åand active matrix assemblies including thin film transistors provide improved thin-type displays.
A metal-oxide-semiconductor transistor comprising: a glass insulating substrate; a thin film of silicon selected from the group consisting of polycrystalline silicon and amorphous silicon including a channel region of less than 2500 Åthickness disposed on said substrate; a source region and a drain
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