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Electron emitting device, electron generator employing said electron emitting device, and method for driving said genera 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01J-001/30
출원번호 US-0804517 (1991-12-10)
우선권정보 JP-0033934 (1988-02-18); JP-0033936 (1988-02-18)
발명자 / 주소
  • Eguchi Ken (Yokohama JPX) Kawada Haruki (Yokohama JPX) Sakai Kunihiro (Isehara JPX) Matsuda Hiroshi (Isehara JPX) Takimoto Kiyoshi (Kawasaki JPX) Kawade Hisaaki (Atsugi JPX) Morikawa Yuko (Kawasaki J
출원인 / 주소
  • Canon Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 28  인용 특허 : 0

초록 ▼

An electron emitting device, comprising: a first electrode provided on a substrate; a first layer provided on said electrode and capable of undergoing transition from an electrically high resistance state to a low resistance state when irradiated by a radiant ray; and a conductive layer, an insulati

대표청구항 ▼

An electron emitting device, comprising a first layer and a second layer laminated thereon, said first layer being capable of undergoing transition from an electrically high resistance state to a low resistance state when irradiated by a radiant ray and said second layer being capable of emitting el

이 특허를 인용한 특허 (28)

  1. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Addressable and electrically reversible memory switch.
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  2. Yang, Yang; Ouyang, Jianyong, Bistable nanoparticle-polymer composite for use in memory devices.
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  3. Avnery, Tzvi, Decontamination apparatus.
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  4. Todokoro Yasuyuki (Yokohama JPX) Suzuki Hidetoshi (Fujisawa JPX), Electron beam generating apparatus, image display apparatus, and method of driving the apparatus.
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  5. Hyde ; Jr. James R., Electron pump.
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  6. Komoda, Takuya; Ichihara, Tsutomu; Aizawa, Koichi; Honda, Yoshiaki; Watabe, Yoshifumi; Hatai, Takashi; Takegawa, Yoshiyuki; Baba, Toru, Field emission-type electron source and method of biasing the same.
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  7. Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Floating gate memory device using composite molecular material.
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  8. Avnery,Tzvi, Irradiation apparatus.
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  9. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
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  10. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
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  11. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device.
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  12. Krieger, Juri H.; Yudanoy, Nikolai, Memory device.
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  13. Krieger, Juri H.; Yudanov, N. F., Memory device with a self-assembled polymer film and method of making the same.
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  14. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device with active and passive layers.
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  15. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolai, Memory device with active passive layers.
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  16. Yang, Yang; Ouyang, Jianyong; Szmanda, Charles R., Memory devices based on electric field programmable films.
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  17. Kobayashi Tamaki,JPX ; Suzuki Noritake,JPX, Method of driving electron-emitting device, method of driving electron source using the electron-emitting device, and method of driving image forming apparatus using the electron source.
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  18. Tomida Yoshinori,JPX ; Kawade Hisaaki,JPX ; Niibe Masahito,JPX ; Ohnishi Toshikazu,JPX ; Okamura Yoshimasa,JPX, Method of manufacturing electron-emitting device and image-forming apparatus comprising such devices.
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  19. Krieger, Juri H.; Yudanov, Nikolay F., Molecular memory cell.
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  20. Krieger,Juri H; Yudanov,Nicolay F, Molecular memory cell.
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  21. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Molecular memory device.
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  22. Yang, Yang; Kaner, Richard, Nanoparticle-polymer bistable devices.
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  23. Yang, Yang; Ma, Liping; Liu, Jie, Organic bistable device and organic memory cells.
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  24. Kingsborough,Richard P.; Sokolik,Igor, Organic thin film Zener diodes.
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  25. Bulovic, Vladimir; Mandell, Aaron; Perlman, Andrew, Reversible field-programmable electric interconnects.
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  26. Bulovic,Vladimir; Mandell,Aaron; Perlman,Andrew, Reversible field-programmable electric interconnects.
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  27. Yang,Yang; Ma,Liping, Rewritable nano-surface organic electrical bistable devices.
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  28. Yang, Yang; Ma, Liping; He, Jun, Three-terminal electrical bistable devices.
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