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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0685283 (1991-04-15) |
우선권정보 | DE-4023510 (1990-07-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 69 인용 특허 : 0 |
A method for producing a solar cell having a semiconductor layer of copper gallium diselenide covered with a window layer of copper aluminum diselenide by first producing a semiconductor material of one type of conductivity by forming either a copper gallium diselenide or a copper aluminum diselenid
A method for manufacturing a chalcopyrite solar cell having a p-conductive copper gallium diselenide layer as an absorber and having an n-conductive window layer, said method comprising the steps of producing a first electrode layer on an electrically insulating substrate; producing a semiconductor
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