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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0546963 (1990-07-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 46 인용 특허 : 0 |
A high density interconnect structure incorporating a plurality of laminated dieletric layers is fabricated using thermoplastic adhesive layers of progressively lower glass transition temperature in order to maintain the stability of the already fabricated structure during the addition of the later
A high density interconnect structure comprising: a plurality of semiconductor chips each having contact pads on a first surface thereof; a first layer of dielectric material bonded to said semiconductor chips, said first layer of dielectric material comprising first lower and first upper sublayers,
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