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Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H04L-021/265
출원번호 US-0740197 (1991-08-02)
우선권정보 JP-0207001 (1990-08-03)
발명자 / 주소
  • Sato Hiroya (Tenri JPX) Kinosada Toshiaki (Izumi JPX) Nakagawa Yasuhito (Nara JPX)
출원인 / 주소
  • Sharp Kabushiki Kaisha (Osaka JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 0

초록

There is provided a method for producing a semiconductor device having a semiconductor layer in which carbon is implanted as an impurity. The method includes the steps of: implanting fluorocarbon ions in a semiconductor layer; and annealing the semiconductor layer to activate the implanted ions.

대표청구항

A method for producing a semiconductor device having a semiconductor layer in which carbon is implanted as an impurity, comprising the steps of: implanting fluorocarbon ions in a semiconductor layer; and annealing the semiconductor layer to activate the implanted ions.

이 특허를 인용한 특허 (10)

  1. David P. Mancini ; Steven M. Smith ; Douglas J. Resnick, Amorphous carbon layer for improved adhesion of photoresist and method of fabrication.
  2. Yih-Feng Chyan ; Chung Leung, Bipolar semiconductor device and method of forming same having reduced transient enhanced diffusion.
  3. Goto Kenichi,JPX ; Kase Masataka,JPX ; Matsuo Jiro,JPX ; Yamada Isao,JPX ; Takeuchi Daisuke,JPX ; Toyoda Noriaki,JPX ; Shimada Norihiro,JPX, Boron doping by decaborane.
  4. Walukiewicz, Wladyslaw; Yu, Kin M., Co-implantation of group VI elements and N for formation of non-alloyed ohmic contacts for n-type semiconductors.
  5. Thomas N. Horsky, Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer.
  6. Enquist Paul, Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing.
  7. Furukawa,Toshiharu; Hakey,Mark C.; Holmes,Steven J.; Horak,David V., Irradiation assisted reactive ion etching.
  8. Bishop,James K.; Guay,Christopher K., Method and apparatus for measuring birefringent particles.
  9. Kobayashi, Shinji, Method of producing chromium mask.
  10. Arevalo, Edwin A.; Hatem, Christopher R.; Renau, Anthony; England, Jonathan Gerald, Techniques for forming shallow junctions.
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