최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0708340 (1991-05-31) |
우선권정보 | JP-0157287 (1990-06-15); JP-0324910 (1990-11-27); JP-0040999 (1991-02-12); JP-0081634 (1991-03-20) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 0 |
Ti-W target material for sputtering includes a structure composed of a W phase, a Ti phase, and a Ti-W alloy phase of which 20% or more consist of the area ratio of a micro structure covering the cross section of the Ti-W target material. The Wi-W target material further includes dispersed tungsten
A titanium-tungsten target material for a sputtering process with a structure consisting essentially of a tungsten phase, a titanium phase and a titanium-tungsten alloy phase, the titanium-tungsten alloy phase occupying an area ratio of 20% or more of a cross section of the structure of the titanium
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.