[특허]Plasma etching method and apparatus

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/00
출원번호	US-0579331 (1990-09-06)
발명자 / 주소	Hall Bernard J. (San Francisco CA)
출원인 / 주소	Charles Evans and Associates (Redwood City CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 0

초록 ▼

Method and apparatus for monitoring and maintaining the geometry of plasma in a plasma chamber is disclosed wherein the plasma density and plasma temperature in the chamber are monitored to calculate an initial sample dc voltage which is applied to the sample or first probe in or adjacent to the temperature. The current to the sample or first probe is then measured, a new sample voltage for the sample or first probe is then calculated and applied and these latter steps of measuring, calculating and applying are repeated. Different wire and flat probe structures and positions are disclosed.

대표청구항 ▼

The method of maintaining plasma geometry in the plasma chamber in which a plasma with an adjoining wall sheath is established comprising the steps of: (a) monitoring the plasma density and plasma temperature in the chamber, (b) calculating an initial sample dc voltage V using the measurement in step (a), (c) applying the calculated initial sample voltage to a sample or first probe in or adjacent to the chamber, (d) then measuring the current to the sample or first probe, (e) calculating the new sample voltage for the sample or first probe, (f) applying said calculated new sample voltage to the sample, and (g) repeating steps (d) through (f). Apparatus for plasma etching in a plasma chamber comprising an aperture assembly having a wall with an aperture and mounted in the chamber, means for supporting a sample behind said aperture in said aperture assembly and insulated from said aperture wall, p1 means for measuring the plasma density and plasma temperature in the chamber, means for applying a dc voltage to the sample, and means for measuring the current to the sample whereby the plasma density and temperature can be determined by said plasma density and plasma temperature measuring means to calculate an initial voltage which is then applied to the sample for then measuring the sample current by said current to sample measuring means to calculate the current density and a new sample voltage which is then applied to the sample and repeating the steps for calculating and applying a new corrected voltage to the sample.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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