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Method of making high density semiconductor structure 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/3205
출원번호 US-0631671 (1990-12-21)
발명자 / 주소
  • Reisman Arnold (Raleigh NC) Turlik Iwona (Raleigh NC)
출원인 / 주소
  • MCNC (Research Triangle Park NC 02) Northern Telecom Limited (Montreal CAX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 28  인용 특허 : 0

초록

A method of forming a high density semiconductor structure including one or more buried metal layers. One or more metal layers may be formed on a first semiconductor substrate, with the metal layer or layers being insulated from one another and from the substrate. One or more metal layers may be for

대표청구항

A method of forming a semiconductor device comprising the steps of: (a) providing a first semiconductor substrate; (b) providing a second substrate; (c) forming at least one metal layer on at least one of said first semiconductor substrate and said second substrate; (d) placing said first semiconduc

이 특허를 인용한 특허 (28)

  1. Linn Jack H. ; Lowry Robert K. ; Rouse George V. ; Buller James F., Bonded wafer processing with oxidative bonding.
  2. Linn, Jack H.; Lowry, Robert K.; Rouse, George V.; Buller, James F., Bonded wafer with metal silicidation.
  3. Houston Theodore W., Buried oxide with a thermal expansion matching layer for SOI.
  4. Abraham, David W.; Keefe, George A.; Lavoie, Christian; Rothwell, Mary E., Chip mode isolation and cross-talk reduction through buried metal layers and through-vias.
  5. Abraham, David W.; Keefe, George A.; Lavoie, Christian; Rothwell, Mary E., Chip mode isolation and cross-talk reduction through buried metal layers and through-vias.
  6. Harvey Ian, Integrated circuit device interconnection techniques.
  7. Xiong, Chuanbing; Fang, Wenqing; Wang, Li; Wang, Guping; Jiang, Fengyi, Method for fabricating metal substrates with high-quality surfaces.
  8. Higuchi,Takamitsu; Iwashita,Setsuya; Miyazawa,Hiromu, Method for manufacturing a piezoelectric device.
  9. Voldman Steven Howard ; Wallash Albert John, Method for manufacturing thin film slider with on-board multi-layer integrated circuit.
  10. Hsin-Hui Hsu TW; De-Yuan Wu TW, Method for reducing resistance in a conductor.
  11. Abraham, David W.; Chow, Jerry M.; Corcoles Gonzalez, Antonio D.; Keefe, George A.; Rothwell, Mary E.; Rozen, James R.; Steffen, Matthias, Method of fabricating a coplanar waveguide device including removal of spurious microwave modes via flip-chip crossover.
  12. Augendre, Emmanuel; Ernst, Thomas; Kostrzewa, Marek; Moriceau, Hubert, Method of fabricating a microelectronic structure of a semiconductor on insulator type with different patterns.
  13. Mountain,David Jerome, Method of fabricating and integrating high quality decoupling capacitors.
  14. Horiuchi Masatada,JPX ; Onai Takahiro,JPX ; Washio Katsuyoshi,JPX, Method of fabricating multi-layered structure having single crystalline semiconductor film formed on insulator.
  15. Padmanabhan Gobi R. (Sunnyvale CA), Method of making buried metallization structure.
  16. Sato Nobuhiko,JPX ; Yonehara Takao,JPX, Process for producing semiconductor substrate of SOI structure.
  17. Abraham, David W.; Chow, Jerry M.; Corcoles Gonzalez, Antonio D.; Keefe, George A.; Rothwell, Mary E.; Rozen, James R.; Steffen, Matthias, Removal of spurious microwave modes via flip-chip crossover.
  18. Abraham, David W.; Chow, Jerry M.; Corcoles Gonzalez, Antonio D.; Keefe, George A.; Rothwell, Mary E.; Rozen, James R.; Steffen, Matthias, Removal of spurious microwave modes via flip-chip crossover.
  19. McCarthy Anthony M. (Menlo Park CA), Silicon on insulator achieved using electrochemical etching.
  20. Fathimulla, Mohammed A.; Keyser, Thomas, Silicon-on-insulator wafer for RF integrated circuit.
  21. Voldman Steven Howard ; Wallash Albert John, Thin film slider with on-board multi-layer integrated circuit.
  22. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  23. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  24. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  25. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  26. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  27. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  28. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
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