[특허]Method of manufacture of optically transparent electrically conductive semiconductor windows

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/44
출원번호	US-0544772 (1990-06-27)
발명자 / 주소	Biricik V. Warren (Rancho Palos Verdes CA) Rowe James M. (Torrance CA) Kraatz Paul (Redondo Beach CA) Tully John W. (Rolling Hills Estates CA) Thompson Wesley J. (Torrance CA) Modster Rudolph W. (Los
출원인 / 주소	Northrop Corporation (Los Angeles CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 0

초록 ▼

Methods are disclosed for making semiconductor windows which are transparent to light in the infrared range which have good electrical conductivity and are formed of a substrate material (11) having a semiconductor coating (14) having a dopant included therein. The coating is diffused, grown or deposited on one surface of the substrate and is controlled to obtain both low electrical resistivity and high infrared transmissivity. The coating can be formed of the same material as the substrate or can be a different material. Windows having particular thermal properties are formed utilizing zinc selenide and zinc sulfide as the substrate.

대표청구항 ▼

A method for making a conductive infrared transparent window comprising the steps of: providing an infrared transparent substrate of germanium, forming an inherent layer of infrared transparent germanium from 1-50 microns thick at one surface of said substrate, diffusing an n type impurity dopant selected from the group consisting of phosphorus, arsenic, and antimony into said layer for rendering the layer electrically conductive with a sheet resistance of less than 100 ohms per square, while maintaining a sufficient mobility to retain the infrared transparency thereof at a value greater than about 55% of optical transmittance over the infrared range, while further maintaining the remaining substrate undoped so that said doped layer becomes, upon doping, a distinctly different material from the material of said undoped substrate, said layer being formed as a crystalline layer with a low density of micro-structural defects to thereby essentially maintain the infrared transparency thereof.

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