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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0447855 (1989-12-08) |
우선권정보 | IT-0023090 (1988-12-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 0 |
A solid-state sensor is described for determining hydrogen and/or NOx concentration and the method for its preparation, it comprising a support on which a thin film of thickness between 80 and 200 nm is deposited consisting of tin (Sn) and bismuth (Bi) oxides, the quantity of bismuth in the thin fil
A solid-state sensor for determining the concentration of a gas selected from the group consisting of hydrogen and NOx, comprising a support on which a thin film, of thickness between 80 and 200 nm, is deposited, said thin film consisting of tin oxide and bismuth oxide, wherein the molar ratio of bi
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