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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0867726 (1992-03-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 0 |
An IR photodetector including an IR semiconductor detector with conductive layers on opposite, parallel surfaces. A semiconductor substrate supports the semiconductor IR detector. A circuit is connected across the semiconductor IR detector to provide a bias voltage and for measuring current flow thr
A solid-state, IR detector formed from a semiconductor comprising: a plurality of quantum-well sets, each said set having at least two quantum wells with at least two confined energy levels in each said well; a plurality of relatively wide potential barriers, each located between adjacent ones of sa
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