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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0821108 (1992-01-15) |
우선권정보 | EP-0480070 (1989-04-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0 |
A follow-up system for monitoring the etching process in RIE equipment. A spectrometer is used in an interferometric mode for accurate thickness measuring to produce high-resolution and reproducible patterns in a layer of etchable material formed on a substrate.
A follow-up system for monitoring the etching process in RIE equipment to produce high-resolution and reproducible patterns in a structure to be etched, having a treatment chamber for containing a plasma, which produces a glow discharge during the etching process, and provided with a quartz view por
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