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[미국특허] Semiconductor device with a copper wires ball bonded to aluminum electrodes 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-023/48
  • H01L-023/30
출원번호 US-0853087 (1992-03-17)
우선권정보 JP-0006827 (1989-01-13)
발명자 / 주소
  • Tsumura Kiyoaki (Itami JPX)
출원인 / 주소
  • Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 27  인용 특허 : 0

초록 ▼

A semiconductor device formed by a semiconductor chip bonded to a lead frame die pad. The bonding material, such as a silicone resin, has an elasticity modulus ranging from 1 Kg/cm2 to 100 Kg/cm2 from room temperature to 400°C. The lead frame electrodes are connected to the semiconductor chip electr

대표청구항 ▼

A semiconductor device comprising: a lead frame having a die pad; a semiconductor chip having opposed first and second surfaces and including aluminum electrodes on the first surface, said semiconductor chip being bonded at the second surface to said die pad with a bonding material having an elastic

이 특허를 인용한 특허 (27) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. So, Tsuyoshi; Maeda, Hideki; Aizawa, Osamu; Kubo, Hideo, Electronic device package with connection terminals including uneven contact surfaces.
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  2. Ball Michael B., Method of improving interconnect of semiconductor devices by using a flattened ball bond.
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  3. Michael B. Ball, Method of improving interconnect of semiconductor devices by using a flattened ball bond.
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  4. Ball Michael B., Method of improving interconnect of semiconductor devices by utilizing a flattened ball bond.
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  5. Ball, Michael B., Method of improving interconnect of semiconductor devices by utilizing a flattened ball bond.
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  6. Efland Taylor R. ; Skelton Dale J. ; Mai Quang X. ; Williams Charles E., Plastic encapsulation for integrated circuits having plated copper top surface level interconnect.
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  7. Efland Taylor R. ; Skelton Dale J. ; Mai Quang X. ; Williams Charles E., Plastic encapsulation for integrated circuits having plated copper top surface level interconnect.
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  8. Tanaka, Takekazu; Takahashi, Kouhei; Okabe, Seiji, Semiconductor device.
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  9. Teshima, Takanori, Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device.
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  10. Takenaka Masashi,JPX ; Kasai Junichi,JPX ; Mizukoshi Masataka,JPX ; Yamashita Taturou,JPX, Semiconductor device and method for manufacturing such.
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  11. Tsubosaki, Kunihiro, Semiconductor device and method of fabricating the same.
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  12. Ishihara Yasuo,JPX ; Kawakita Haruo,JPX ; Okabe Naoto,JPX, Semiconductor device and method of manufacturing same.
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  13. Shibata,Kazutaka, Semiconductor device and the manufacturing method for the same.
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  14. Teshima, Takanori, Semiconductor device having heat conducting plate.
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  15. Fukuda,Yutaka; Nomura,Kazuhito; Nakase,Yoshimi, Semiconductor device having radiation structure.
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  16. Mamitsu, Kuniaki; Hirai, Yasuyoshi, Semiconductor device having radiation structure.
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  17. Mamitsu, Kuniaki; Hirai, Yasuyoshi, Semiconductor device having radiation structure.
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  18. Mamitsu, Kuniaki; Hirai, Yasuyoshi, Semiconductor device having radiation structure.
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  19. Mamitsu, Kuniaki; Hirai, Yasuyoshi, Semiconductor device having radiation structure.
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  20. Mamitsu, Kuniaki; Hirai, Yasuyoshi; Nomura, Kazuhito; Fukuda, Yutaka; Kajimoto, Kazuo; Miyajima, Takeshi; Makino, Tomoatsu; Nakase, Yoshimi, Semiconductor device having radiation structure.
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  21. Mamitsu,Kuniaki; Hirai,Yasuyoshi, Semiconductor device having radiation structure.
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  22. Teshima, Takanori; Fukuda, Yutaka; Nakase, Yoshimi; Mamitsu, Kuniaki; Makino, Tomoatsu, Semiconductor device having radiation structure and method for manufacturing semiconductor device having radiation structure.
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  23. Tanaka, Takekazu; Takahashi, Kouhei; Okabe, Seiji, Semiconductor device including a coupling region which includes layers of aluminum and copper alloys.
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  24. Tanaka, Takekazu; Takahashi, Kouhei; Okabe, Seiji, Semiconductor device including coupling ball with layers of aluminum and copper alloys.
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  25. Ishida Yoshihiro,JPX ; Miyazaki Taichi,JPX ; Omura Atsushi,JPX ; Ohara Tsutomu,JPX ; Ishiwata Shuichi,JPX, Semiconductor package.
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  26. Horibe Hiroshi,JPX ; Nakamura Kazuko,JPX ; Toyosaki Shinji,JPX, Wire bonding apparatus.
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  27. Horibe Hiroshi,JPX ; Nakamura Kazuko,JPX ; Toyosaki Shinji,JPX, Wire bonding method, wire bonding apparatus and semiconductor device produced by the same.
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