검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | C01B-031/36 C30B-025/00 C30B-029/36 |
미국특허분류(USC) | 423/345 ; 501/88 ; 156/603 |
출원번호 | US-0731116 (1991-07-15) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 0 |
A process for producing silicon carbide platelets having a size of 20 m2, and preferably 0.1-10% by weight of the reaction mixture of alpha silicon carbide particles having a size of 5 mmmm
A process for producing silicon carbide platelets having a size less than about 20 m2% by weight of said reaction mixture of CaO or a precursor thereof, about 1.75 parts by weight of pure carbon containing less than 0.2% by wt. of iron, about 3 parts by weight of SiO2, 0.01 to 0.1 parts by weight of B2O3 and about 0.025 parts by weight of alpha SiC crystals, and heating said reaction mixture under an inert atmosphere at about 1800°-2100°C. for about 2 hours.