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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0893496 (1992-06-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 0 |
Methods for reducing the number of adherent particulates in processing solutions to avoid deposition of such particulates onto a substrate treated with those processing solutions. For example, hydrogen fluoride-containing acids used to etch silicon dioxide layers during silicon wafer processing prod
A method of reducing the number of adherent particulates in a process fluid, the adherent particulates being formed by a reaction of the process fluid with a material formed on a substrate to which the adherent particulates have an affinity, comprising: generating process fluid flow to cause a react
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