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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0877433 (1992-04-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 0 |
A method and structure are provided for internal photoemission detection. At least one groove (30a) is formed in a side of a semiconductor layer (32). A silicide film (58) is formed in each groove (30a) over the semiconductor layer (32). A metal contact region (44) is electrically coupled to the sil
A structure for internal photoemission detection, comprising: a semiconductor layer having front and back sides, said front side having at least one groove formed therein, wherein said groove has a depth to width ratio of at least eight to one; a silicide film formed in each said groove over said se
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