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| | | 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (줄기세포 | 면역) 예2) 줄기세포 | 장영실 |
| ! | NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 | 예1) (황금 !백금) 예2) !image |
| * | 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 | 예) semi* |
| "" | 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 | 예) "Transform and Quantization" |
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특허 상세정보
Structure and method internal photoemission detection
| 국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | H01L-029/44 H01L-029/48 H01L-031/06 |
| 미국특허분류(USC) | 257/466 ; 257/436 ; 257/455 ; 257/457 |
| 출원번호 | US-0877433 (1992-04-30) |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 | |
| 인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 0 |
초록
A method and structure are provided for internal photoemission detection. At least one groove (30a) is formed in a side of a semiconductor layer (32). A silicide film (58) is formed in each groove (30a) over the semiconductor layer (32). A metal contact region (44) is electrically coupled to the silicide film (58) such that a voltage at the metal contact region (44) indicates an intensity of radiation incident on the structure (28).
대표
청구항
A structure for internal photoemission detection, comprising: a semiconductor layer having front and back sides, said front side having at least one groove formed therein, wherein said groove has a depth to width ratio of at least eight to one; a silicide film formed in each said groove over said semiconductor layer; and a metal contact region electrically coupled to said silicide film such that a voltage at said metal contact region indicates an intensity of radiation incident on the structure.
