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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0988386 (1992-12-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 0 |
A method for forming a planar insulating layer over the surface of a semiconductor workpiece 8 which includes at least one low region 13 is discussed herein. The first step is to form a layer of blocking material 14 on the surface of the workpiece 8. A first material region 20 is then formed in the
A semiconductor device comprising: a semiconductor layer; a trench region formed in a surface of said semiconductor layer; an insulating layer formed on said surface of said semiconductor layer; a substantially planar borophosphosilicate glass (BPSG) layer formed over said insulating layer, said BPS
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