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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0853127 (1992-03-18) |
우선권정보 | JP-0078556 (1991-03-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
In a thermoelectric refrigeration material with thermoelectric conversion characteristic, in order to improve crystallinity of a system of bismuth-antimony (Bi-Sb) and thereby to improve the figure of merit Z, bismuth (Bi), antimony (Sb) and silicon monoxide (SiO) are deposited on a substrate at a p
A thermoelectric refrigeration material having a thermoelectric conversion characteristic and formed by adding silicon monoxide (SiO) to a system of bismuth-antimony (Bi-Sb) at a predetermined rate such that the formed material has a granular crystalline structure containing crystal grains of around
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