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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0021318 (1993-02-23) |
우선권정보 | JP-0039957 (1992-02-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
A semiconductor device includes a semiconductor element, a base, a cap, leads, and low-melting glass. The semiconductor element is mounted on the base, and the base consists of high-purity alumina and has a thickness of 0.5 mm or less. The cap is arranged on the base to cover the semiconductor eleme
A semiconductor device comprising: a semiconductor element; a flat shaped base on which said semiconductor element is mounted, and which consists of high-purity alumina and has a thickness of not more than 0.5 mm; a cap arranged on said base to cover said semiconductor element, consisting of translu
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