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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0531218 (1990-05-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 87 인용 특허 : 0 |
An in-situ doped n-type silicon layer is provided by a low temperature, low pressure chemical vapor deposition process employing a germanium-containing gas in combination with the n-type dopant containing gas to thereby enhance the in-situ incorporation of the n-type dopant into the silicon layer as
A method for depositing an in-situ doped n-type silicon layer onto a substrate which comprises providing the substrate in a chemical vapor deposition reaction zone wherein the temperature in said reaction zone is about 800°C. or less and the base pressure in said zone is an ultrahigh vacuum; and int
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