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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0846059 (1992-03-05) |
우선권정보 | JP-0040284 (1991-03-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
A high-cut-off frequency, high-speed HBT is obtained by suppressing the diffusion of impurities to the utmost by lowering a heat treatment temperature in the step subsequent to the formation of a high concentration base layer. A base electrode for a base layer is made of a metal or an intermetallic
A semiconductor device comprising: a collector layer made of a first conductive type semiconductor; a base layer made of a second conductive type semiconductor; and an emitter layer made of the first conductive type semiconductor, said collector layer, base layer and emitter layer being laminated su
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