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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0720759 (1991-06-28) |
우선권정보 | WOUS-00114 (1989-11-01); JP-0284293 (1989-10-31); JP-0283688 (1989-10-31); JP-0127388 (1989-10-31) |
국제출원번호 | PCT/US90/00276 (1990-01-11) |
§371/§102 date | 19910628 (19910628) |
국제공개번호 | WO-9008105 (1990-07-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0 |
A process for preparing silicon carbide by carbothermal reduction is disclosed. This process involves rapidly heating a particulate reactive mixture of a silica source and a carbon source to form a product which shows improved uniformity of crystal size. The product of this process can be used to fo
A process for preparing silicon carbide by carbothermal reduction which comprises passing a particulate reactive mixture of a silica source and a carbon source through a heating zone such that substantially all of the particles of the reactive mixture are individually heated at a heating rate of at
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