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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0828496 (1992-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 126 인용 특허 : 0 |
Selective demetallization of an etchable metal layer supported on a polymeric material or other microwave transparent material, or a self-supporting etchable metal layer, particularly aluminum of thickness at least about 1 micron adhesively joined to a flexible polymeric material substrate, is descr
A continuous method of effecting selective demetallization of a layer of aluminum having a thickness of at least about 1 micron supported on a web of flexible polymeric material, which comprises: continuously applying a pattern of sodium hydroxide-resistant material to said aluminum corresponding to
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