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[미국특허] Process for cleaning silicon mass and the recovery of nitric acid 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B08B-003/04
출원번호 US-0967066 (1992-10-28)
우선권정보 JP-0308268 (1991-10-29)
발명자 / 주소
  • Ito Hideo (Yokkaichi JPX) Narukawa Mitsutoshi (Yokkaichi JPX) Sakai Kazuhiro (Yokkaichi JPX)
출원인 / 주소
  • Hi-Silicon, Co., Ltd. (Mie JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 0

초록

In a process for cleaning a silicon mass with a acid washing solution, a waste solution containing a mixed acid composed of nitric acid and hydrofluoric acid is introduced to a distillation step, and hydrofluoric acid is introduced to a distillation cooling portion to prevent precipitation of silico

대표청구항

A process comprising: sufficiently heating a liquid waste solution “obtained from cleaning a polycrystalline silicon mass”has been inserted after which comprises nitric acid, hydrofluoric acid, hydrosilicofluoric acid, and water so as to boil off a hydrofluoric acid containing vapor; transmitting sa

이 특허를 인용한 특허 (7) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Wochner Hanns,DEX ; Bauer Theresia,DEX ; Dietl Josef,DEX ; Ott Werner,DEX ; Pichler Herbert,ATX ; Schmidbauer Wilhelm,DEX ; Seifert Dieter,DEX ; Weizbauer Susanne,DEX, Method for producing a semiconductor material.
  2. Kunze-Concewitz Horst,DEX, Method of cleaning surfaces with water and steam.
  3. Yamauchi, Norichika; Shimada, Takehiko, Method of selecting and analyzing scrap silicon.
  4. Hoffman Joe G. ; Clark R. Scot, On-site ammonia purification for semiconductor manufacture.
  5. Joe G. Hoffman ; R. Scot Clark, On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF and ammonium fluoride.
  6. Xu Mindi ; Yuan Wallace I. ; Jacksier Tracey ; Wang Hwa-Chi ; Hoffman Joe G. ; Clark R. Scot, On-site manufacture of ultra-high-purity nitric acid.
  7. Hoffman Joe G. ; Clark R. Scot, Point-of-use ammonia purification for electronic component manufacture.

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