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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0185309 (1994-01-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 64 인용 특허 : 0 |
Substrate temperatures are maintained above 400°C. During the microwave energized glow discharge deposition of Group IV semiconductor materials. The substrate temperature range provides for the preparation of materials having improved electrical properties. Cell efficiency of a photovoltaic device o
A method for the manufacture of an p-i-n type photovoltaic device of the type comprising a body of substantially intrinsic Group IV semiconductor alloy interposed between two oppositely doped semiconductor layers, said method including the steps of: I. Depositing a body of semiconductor material of
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