[특허]Process for non-selectively forming deposition film on a non-electron-donative surface

Process for non-selectively forming deposition film on a non-electron-donative surface 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B05D-003/06 B05D-003/00 C23C-016/00
출원번호	US-0996875 (1992-12-22)
우선권정보	JP-0405190 (1990-12-21)
발명자 / 주소	Tsubouchi Kazuo (Sendai JPX) Masu Kazuya (Sendai JPX)
출원인 / 주소	Canon Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 0

초록 ▼

A process for forming a deposition film comprising aluminum comprises the steps of: treating chemically a surface of a substrate having an electron-donative surface and a non-electron-donative surface so as to terminate the electron-donative surface with hydrogen atoms, and thereafter placing the substrate in a space for deposition film formation; introducing gas comprising alkylaluminum hydride and hydrogen gas into the space for deposition film formation; and forming an aluminum film selectively on the electron-donative surface by maintaining the substrate at a temperature in the range of from not lower than the decomposition temperature of the alkylaluminum hydride to not higher than 450°C.

대표청구항 ▼

A process for forming a deposition film comprising aluminum, comprising the steps of: placing a substrate having an electron-donative surface and a non-electron-donative surface in a space for deposition film formation in a chemical vapor deposition apparatus capable of generating plasma: introducing gas comprising alkylaluminum hydride and hydrogen gas into the space for deposition film formation; forming a first film comprising aluminum selectively on the electron-donative surface by maintaining the electron-donative surface at a temperature in the range of from not lower than the decomposition temperature of the alkylaluminum hydride to not higher than 450°C.; modifying the non-electron-donative surface by generating plasma while the gas comprising alkylaluminum hydride and the hydrogen gas are introduced, wherein the electron density of the plasma is in the range of from 1×108 to 8×1010 cm-3 in vicinity of the surface of the substrate; and forming a second film comprising aluminum on the first film and the non-electron-donative surface.

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