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특허 상세정보
Metal matrix composite semiconductor power switch assembly
| 국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | H01L-023/02 H01L-023/12 |
| 미국특허분류(USC) | 257/678 ; 257/691 ; 257/692 ; 257/703 |
| 출원번호 | US-0979088 (1992-11-19) |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 | |
| 인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
초록
A power semiconductor assembly, particularly a semiconductor switch assembly which has a number of discrete emitter connection pads, comprised of a metal matrix composite housing and a copper or aluminum post with a cross-sectional area sufficiently large to carry the rated current providing a single-point, external connection to all emitter pads. The post passes through and is supported by an insulating ceramic insert such as aluminum oxide in the wall of the metal matrix composite housing. The post is hollowed out in the region where it passes through ...
대표
청구항
A semiconductor assembly comprising: a metal matrix composite housing having a base and a plurality of side walls, one of said side walls having an opening disposed therethrough; a semiconductor die having a plurality of power electrode pads on an upper surface of said semiconductor die and a power electrode on a lower surface of said semiconductor die; said lower surface of said semiconductor die mechanically and electrically connected to said base; a partially hollow conductive post sufficiently large in cross-section to conduct current to said plurali...
이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 15
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- Bermel, Andreas; Krohn, Thomas; Neumann-Henneberg, Uwe. Device and method for producing a device. USP2011017868259.
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