[특허]Microchip laser

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01S-003/091
출원번호	US-0140616 (1993-10-22)
발명자 / 주소	Mooradian Aram (Winchester MA)
출원인 / 주소	Massachusetts Institute of Technology (Cambridge MA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 0

초록 ▼

A gain medium is disposed between two mirrors to form a resonant cavity. The cavity length is selected so that the gain bandwidth of the gain medium is less than or substantially equal to the frequency separation of the cavity modes and such that a cavity mode frequency falls within the gain bandwidth. A nonlinear optical material is disposed either inside or outside the cavity to generate new laser wavelengths. The nonlinear optical material may be contained in a cavity which is resonant at the microchip laser frequency. Alternatively, the microchip laser may be tuned, for example thermally or by the application of a longitudinal or transverse stress, to the frequency of the resonant cavity. The laser is optically pumped by any appropriate source such as a semiconductor injection laser or laser array. Suitable gain media include Nd:YAG, Nd:GSGG and Nd pentaphosphate, and suitable non-linear optical material include MgO:LiNbO3 and KTP.

대표청구항 ▼

A solid state optically pumped laser comprising a solid state gain medium disposed between two mirrors characterized in that the distance between the mirrors is such that the gain bandwidth of the gain medium is less than the frequency separation of the cavity modes, and in that the laser is pumped

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