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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0177504 (1988-04-04) |
우선권정보 | JP-0083318 (1987-04-03); JP-0220437 (1987-09-04); JP-0245853 (1987-10-01); JP-0250598 (1987-10-06); JP-0257632 (1987-10-13); JP-0257635 (1987-10-13); JP-0320142 (1987-12-19); JP-0330130 (1987-12-28); JP-0003 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 196 인용 특허 : 0 |
A method for vapor deposition of diamond by effecting an arc discharge while feeding a discharge gas between an anode and a cathode of a thermal plasma chemical vapor deposition device, radicalizing a gaseous carbon compound by feeding the gaseous carbon compound into a generated plasma jet, and per
A method of vapor deposition of diamond comprising the steps of: effecting an arc discharge while feeding a discharge gas containing hydrogen between an anode and a cathode of a thermal plasma chemical vapor deposition device to thereby generate a plasma jet containing dissociated hydrogen atoms; ra
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