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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0214080 (1994-03-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 46 인용 특허 : 0 |
Particles and particle-generated defects during gas phase processing such as during epitaxial deposition are substantially decreased by the process of controlling the various particle transport mechanisms, for example, by applying low level radiant energy during cold purge cycles in barrel reactors.
A process for effecting improved, low particulate gas phase processing of a semiconductor wafer in a reactor chamber system which includes means for heating the interior of the chamber to the gas phase processing temperature, comprising: heating the wafer while the wafer is outside the reactor chamb
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