[특허]Non-contact temperature measurement of a film growing on a substrate

Non-contact temperature measurement of a film growing on a substrate 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G01J-005/00
출원번호	US-0759427 (1991-09-13)
발명자 / 주소	Flik Markus I. (Boston MA) Anderson Alfredo (Watertown MA) Choi Byungin (Cambridge MA)
출원인 / 주소	Massachusetts Institute of Technology (Cambridge MA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 0

초록 ▼

Apparatus and method for non-contact temperature measurement of a film growing on a substrate which accounts for the change in emissivity due to the change in film thickness. The system employs an adaptively calibrated pyrometer wherein the substrate emittance is continuously computed so that the temperature measurement is accurate regardless of the emittance variation. The new system is easily constructed by adding data processing system software and hardware to conventional pyrometers.

대표청구항 ▼

Apparatus for controlling the temperature of a surface of a film-substrate composite while the film is undergoing a change in thickness, comprising: heater apparatus for heating the film-substrate composite; detector apparatus for detecting radiance from the surface of the film-substrate composite and generating an electronic radiance signal corresponding to the detected radiance; computing apparatus including means for generating an electronic temperature signal which corresponds to the temperature of the surface of the film-substrate composite, said generating means converting the electronic radiance signal to the electronic temperature signal by use of a radiance/temperature relation comprising: [Figure] (7) [Figure] where: S(t) is the electronic radiance signal at time t, ell1, where d1 changes with time, T(t) is the real temperature of the film-substrate composite, Tb is the equivalent blackbody temperature of the film-substrate composite, eb is the blackbody hemispherical emissive power, l1 and l2 are the lower and upper wavelength limits, R(lld(lto(ld(ld(lFto(lFl

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